RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3889
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link