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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB

总分
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

总分
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Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 27
    左右 -13% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.8 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.4 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 19.8
  • 写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 16.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2057 left arrow 3889

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较

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Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB RAM的比较

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
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内存RAM
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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