RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
58
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2717
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link