RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
71
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,107.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
1902
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link