RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Porównaj
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3138
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link