RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Porównaj
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
17000
Wokół strony 1.03% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
52
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17500
17000
Other
Opis
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2319
3038
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C7 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link