RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
59
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3395
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link