RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3600
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link