RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3379
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link