RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2534
2881
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link