Porównanie pamięci RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Wynik ogólny

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

33 38

Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.8 14.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.9 10.3

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2148 2824

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns