RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2352
2698
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link