RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Porównaj
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1809
3935
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link