RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Сравнить
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
7.6
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1809
3935
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link