RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.9
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2812
2389
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link