RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
55
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
55
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2570
2701
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link