RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
55
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
55
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2570
2701
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link