RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2323
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link