RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3831
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link