RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2917
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link