RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2517
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link