RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2901
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link