RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2901
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link