RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
104
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
58
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
9.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2172
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link