RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
104
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
58
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
9.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2172
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link