RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
104
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
58
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2172
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link