RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
54
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
9.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1904
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link