RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
74
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
74
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1619
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link