RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
51
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
19
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3370
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link