RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
51
Около -168% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3370
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link