RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3448
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.CP10C 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link