RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
3792
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link