RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2179
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link