RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3961
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link