RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
51
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3126
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link