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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
51
Intorno -143% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
21
Velocità di lettura, GB/s
15.6
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3126
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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