RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
94
Intorno 55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
5.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
4.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
94
Velocità di lettura, GB/s
10.6
5.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
4.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
1334
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link