RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
94
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
94
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1334
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link