RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2654
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link