RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
94
Autour de 55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
4.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
94
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
5.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
4.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1334
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link