RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
51
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3126
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link