RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
50
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
50
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
10.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2064
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link