RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3116
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link