RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3116
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link