RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston 9905630-052.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link