RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
65
Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
41
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3073
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link