Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Pontuação geral
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 15.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,784.6 left arrow 13.6
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    41 left arrow 65
    Por volta de -59% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 6400
    Por volta de 4 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    65 left arrow 41
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,806.8 left arrow 15.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,784.6 left arrow 13.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    932 left arrow 3073
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações