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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
65
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
41
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3073
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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