RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2528
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link