RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
51
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2528
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link