RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
70
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
70
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1971
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link