RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
70
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
70
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1971
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link